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高低温冷热冲击试验箱半导体芯片

节能设计：采用自适应负载调节技术，根据芯片数量自动调整制冷功率，比传统设备节能 35% 以上。
高低温冷热冲击试验箱半导体芯片

产品型号：TSD-80F-3P
厂商性质：生产厂家
更新时间：2025-08-11
访问量：123

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联系电话：0769-81085066

详细介绍

生产厂家广东皓天检测仪器有限公司拥有专业的生产研发技术，一站式周到服务。作为一家专注于试验设备产品的大型仪器制造商，皓天设备致力于为消费者提供技术、品质的优秀产品。

高低温冷热冲击试验箱半导体芯片

制冷系统

采用三级复叠式制冷技术，针对半导体芯片的微尺度散热特性优化设计。高温级搭载 R410A 制冷剂压缩机（功率 2.2kW），中温级使用 R404A，低温级采用 R170（乙烷），-100℃时制冷量仍可达 5.8kW。蒸发器采用纳米级铜镍合金微通道结构，换热面积达 1.2㎡，配合超导均温板实现芯片表面温度均匀性≤±0.3℃。制冷系统配备磁悬浮变频压缩机，运行噪音≤50dB，避免振动对芯片键合线的影响，满足 7nm 以下制程芯片的测试要求。

高低温冷热冲击试验箱半导体芯片

高低温冷热冲击试验箱半导体芯片

加湿系统

采用惰性气体载湿技术，通过纯度 99.999% 的氮气携带超纯水蒸汽进入测试区，湿度控制范围 10%-60% RH（5℃-50℃），精度 ±1.5% RH。加湿模块与测试区采用石英玻璃管道连接，内壁粗糙度≤0.8μm，避免微粒污染。系统内置在线 TOC 检测仪（检测限≤5ppb），确保加湿水质符合 SEMI F20 标准，防止离子迁移对芯片造成电腐蚀。

用途

专为半导体芯片可靠性验证设计，可模拟芯片在航天、汽车等环境下的工作状态。用于测试 CPU 在 - 80℃至 150℃冲击下的逻辑门延迟变化，验证存储芯片在温度骤变中的数据保持能力，评估功率半导体在冷热循环后的漏电流特性，满足 AEC-Q100、JEDEC JESD22-A104 等行业标准。

高低温冷热冲击试验箱半导体芯片

技术参数

温度范围：-100℃~180℃，冲击速率 5℃/s（芯片表面）

湿度控制：10%-60% RH（无结露风险）

工作室尺寸：300mm×250mm×200mm，可容纳 8 英寸晶圆或 200 颗 QFP 封装芯片

温度均匀性：≤±0.5℃（负载 1kg 硅片时）

循环次数：0~99999 次，支持晶圆级自动上下料对接

洁净度：Class 5（ISO 14644-1），粒子浓度≤352 particles/m³（≥0.5μm）

高低温冷热冲击试验箱半导体芯片

产品特点

配备晶圆级真空吸附样品台，温度响应时间≤2s，可同步监测芯片结温与环境温度。采用 316L 不锈钢内壁与氟橡胶密封，满足 SUS304 等效耐腐蚀要求。集成半导体测试接口（SMIC、TSMC 标准），可与探针台联动实现电性能实时测试，支持 GPIB、USB、Ethernet 数据传输。

产品性能

在 - 100℃~180℃范围内，温度冲击响应时间≤10s，连续 1000 次循环后温度偏差增量≤0.2℃。湿度控制在 30% RH 时，波动度≤±1% RH，无冷凝水生成。设备振动加速度≤0.001g，避免芯片焊球脱落，满足 MIL-STD-883H 的微振动要求。

高低温冷热冲击试验箱半导体芯片

产品优势

微环境精准控制：通过微流场模拟技术，实现芯片表面温度梯度≤0.1℃/mm，解决传统设备的温度滞后问题。

超低污染风险：全流程采用惰性气体保护与超净处理，符合半导体行业 SEMI S2 安全标准，适用于车规级芯片测试。

电性能同步测试：支持在温度冲击过程中实时采集芯片 IV 曲线、时序参数，测试效率提升 40%。

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